Алгоритм - Учебный центр

Версия сайта для слабовидящих
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Технологии стандарта DDR4

Технологии стандарта DDR4.

       Компания Rambus представила технологии стандарта DDR4, которые помогают в два раза увеличить скорость передачи данных по каждому контакту модуля памяти по сравнению с DDR 3 - до 4266 Мбит/с. Кроме того, будет значительно уменьшено напряжение питания для активного режима и режима ожидания, а также будет обеспечено обслуживание нескольких двухканальных модулей DIMM (Dual In-line Memory Module) на каждом канале памяти. Основные трудности на пути стандарта DDR4 в версии Rambus заключаются в лицензировании. У индустрии оперативной памяти уже есть негативный опыт по использованию памяти RDRAM, которая имела закрытую архитектуру. В результате даже Intel, основной партнер Rambus по этому проекту, отказался от технологии RDRAM в пользу более открытых, хотя и менее эффективных на тот момент технологий.
                Оперативная память следующего поколения, DDR4 SDRAM, как ожидается, сможет привнести в будущие серверные, настольные и мобильные платформы значительное увеличение производительности. Однако достижение новых рубежей быстродействия потребует радикальных изменений в топологии подсистемы памяти. Эффективная частота модулей DDR4 SDRAM составит от 2133 до 4266 МГц, что несколько выше предыдущих прогнозов (частоты до 2133 МГц смогут быть покрыты модулями DDR3 SDRAM). Перспективные модули памяти окажутся не только быстрее, но и экономичнее своих предшественников. Они будут использовать пониженное до 1,1-1,2В напряжение питания, а для энергоэффективной памяти штатным станет напряжение 1,05 В. Ожидается, что производителям чипов DRAM при изготовлении микросхем DDR4 SDRAM придется прибегать к использованию самых передовых производственных технологий. Фактический же массовый переход на использование DDR4 SDRAM прогнозировался на 2015 год. При этом необходимо иметь в виду, что экстремально высокие скорости работы памяти нового поколения потребуют внесения изменений в привычную структуру всей подсистемы памяти. Дело в том, что контроллеры DDR4 SDRAM смогут справиться лишь с единственным модулем в каждом канале. Это значит, что на смену параллельному соединению модулей памяти в каждом канале

придет четко выраженная топология точка-точка (каждая установленная планка DDR4 будет задействовать разные каналы). Чтобы гарантировать высокие частоты спецификация DDR4 поддерживает только один модуль на каждый контроллер памяти. Это означает, что производителям потребуется увеличить плотность чипов памяти и создать более продвинутые модули. В то же время тайминги будут расти, хотя время доступа продолжит снижаться. 
                Потребность в DDR4 возникнет сразу же после того, как DDR3 полностью исчерпает свои возможности. На сегодняшний день возможности архитектуры DDR3 вряд ли можно назвать исчерпавшими себя, так что пока есть смысл продолжать развитие этого стандарта и дальше. Компания Samsung Electronics освоила выпуск многоярусных 512-Мбит чипов DRAM по технологии TSV. Именно эту технологию планирует использовать для выпуска DDR4. Таким образом, планируется добиться выпуска относительно недорогих чипов памяти DDR4 очень высокой емкости (рис. 1).
                Еще один хорошо известный и уже зарекомендовавший себя способ - использование техники так называемой "разгружающей памяти" - LR-DIMM (Load-Reduce DIMM). Суть идеи состоит в том, что в состав модуля памяти LR-DIMM входит специальный чип (или несколько чипов), буферизирующих все сигналы шины и позволяющих увеличить количество поддерживаемой системой памяти (рис. 1).

QIP Shot - Image: 2016-11-10 16:18:03

Рис. 1.

                 На сегодняшний день компании Samsung и Micron уже освоили технологию выпуска модулей памяти стандарта DDR3 LR-DIMM объемом 32 Гб и более. Ничто не ограничивает применение этой технологии и при выпуске памяти DDR4. Правда, не стоит забывать про единственный, пожалуй, но от этого не менее существенный недостаток LR-DIMM: буферизирование неизбежно ведет к дополнительному увеличению латентности, которая у памяти DDR4 по определению будет и без того немаленькая.

                Для сегмента серверных и high-end вычислений, где востребован очень большой объем памяти, предлагается совершенно иной выход из ситуации. Здесь предполагается использование высокоскоростной коммутации специальными многовходовыми чипами-коммутаторами. Стандарт DDR4 в окончательной редакции был принят JEDEC еще в 2012 году.

 


Лицензия