Алгоритм - Учебный центр
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Восстановление работоспособности сбойных компонентов ПК (модулей памяти).

Восстановление работоспособности сбойных компонентов ПК (модулей памяти).

Поиск неисправности предполагает, что специалисту известно как правильно функционирует устройство, узел, схема. Исследуя неисправное устройство должен увидить отличия от правильного процесса работы устройства, которые и являются проявлением неисправности. Cледует подчеркнуть, что только определив общее состояние электрической схемы системной платы и, локализовав место ипричину отказа или сбоев, можно говорить о проведении следующей фазы ремонта - восстановительной.

Проверку сбойных компонентов платы MS-7758 (модулей памяти) провели их установкой на исправной системной плате и сравнением напряжений их питания. Модули памяти проверили на исправной системной плате MS-7758 — они оказались исправными. Были высказаны предположения о неисправности контроллера памяти в чипе процессора. Проверили процессор на исправной системной плате — дефектов не обнаружили.

Реальный вариант причины сбоев памяти получили при исследовании подсистемы электропитания оперативной памяти. Часто виной дефекта могут быть, например, дефекты пайки, или трещина в печатной плате. Проверили систему электропитания модулей памяти (путем сравнения с исправной платой) и выявили отличия — вместо 1.5V на память подано напряжение VCC_DDR равное 1.35V.

 

Рис. 1. Фрагмент схемы MS-7758

Измерение напряжения VCC_DDR на контактах разъема DIMM модулей оперативной памяти (см. рис. 1) показало наличие 1.35V, что явно не достаточно для нормального функционирования данного типа оперативной памяти (надо иметь напряжение 1,5V).

Исследование источника напряжения VCC_DDR (путем сравнения) показало отличия в напряжениях на входе FB микросхемы U16 (рис. 2).

Контроллер DDR3 системной платы, поддерживает память до DDR3-2800 MT/s, (1.8V, 1.65V, 1.5V ) и DDR3L (низковольтная — 1.35V), управление питанием осуществляет чип F71868AD (S/IO) сигналами DDR_OV1 и DDR_OV2 (рис.2). К резистору R226 могли быть паралельно подключены (или все отключены) резисторы:

  • R55,

  • или R58,

  • или R58 и R55.

    Эти подключения резисторов вызывают изменение напряжения на входе FB микросхемы U16 (рис. 2). Подключения осуществляются путем открытия транзисторных ключей в чипе Q19 (рис. 2) сигналами (Low)DDR_OV1 и DDR_OV2 (см. табл. на рис.2).

 

Рис. 2. Фрагменты схемы MS-7758.

Сигналы DDR_OV1 и DDR_OV2 оба низкого уровня (Low), что и задает 1.35V, а должно быть (для 1.5V): DDR_OV1 -High; DDR_OV2 – Low.

Причиной оказалась микросхема U50 – ее контакты 49 и 50 были замкнуты (рис. 3). Свинец давно ушел из пайки на законных основаниях, и «усы» стали иногда появляться, создавая проблемы. Причина образования «усов» - некачественная пайка и «климатические условия» работы компьютера. После устранения замыкания контактов 49 и 50 стабильная работа компьютера была восстановлена.

Рис. 3.

 

 

 

 

 


Лицензия