Статья добавлена: 08.05.2026
Категория: Ремонт ПК
Типы памяти используемые в SSD-дисках.
В SSD-дисках, как и в USB Flash, использовались три типа памяти NAND: SLC (Single Level Cell), MLC (Multi Level Cell) и TLC (Three Level Cell). Отличие только в том, что SLC позволяет хранить в каждой ячейке только один бит информации, MLC - два, а TLC - три за счет использование разных уровней электрического заряда на плавающем затворе транзистора, что делает память MLC и TLC более дешёвой относительно стоимости единицы ёмкости. Однако память MLC/TLC обладает меньшим ресурсом (100 000 циклов стирания у SLC, в среднем 10 000 для MLC, а для TLC до 5 000) и худшим быстродействием. С каждым дополнительным уровнем усложняется задача распознавания уровня сигнала, увеличивается время поиска адреса ячейки, повышается вероятность ошибок. MLC/TLC память активно развивается и по скоростным характеристикам приближается к SLC. Компании Intel и Micron совместными усилиями разработали чип флэш-памяти MLC NAND, изготавливаемый по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Новинка имеет емкость 64 Гбайт (и 8 Гбайт). Intel и Micron представили и 20-нанометровый флеш-чип MLC NAND емкостью 16 Гбайт.
Но появление SSD-накопителей нового поколения Intel Optane на базе памяти 3D Xpoint в 1000 раз увеличит быстродействие SSD-дисков. Компании Intel и Micron совместными усилиями создали новый тип системы хранения данных, который в одну тысячу раз быстрее самой передовой памяти NAND Flash. Новый тип памяти, получивший название 3D XPoint, показывает скорости чтения и записи в тысячу раз превышающие скорость обычной памяти NAND, а также обладает высокой степенью прочности и плотности. Новая память в 10 раз плотнее чипов NAND и позволяет на той же физической площади сохранять больше данных и при этом потребляет меньше питания. ... ... ...
Статья добавлена: 08.05.2026
Категория: Ремонт ПК
Память компьютера – используемые термины и их пояснения.
DRAM (Dynamic RAM) - микросхемы динамической (оперативной) памяти. Элементы памяти представляют собой емкость(транзисторного перехода), что обуславливает необходимость регенерации хранимых данных.
Банк памяти - набирается из микросхем или модулей DRAM (имеющих общий объединенный сигнал RAS#), количество которых обеспечивает необходимую разрядность памяти, требуемую процессором.
Memory Interleave - чередование памяти (чередование банков памяти). В DRAM после завершения доступа выдерживается пауза, необходимая для подготовки схем к следующему циклу чтения или записи. Если расположенные по последовательным адресам ячейки памяти расположить в разных банках памяти, то пауз можно избежать (пока идет пауза в одном банке, процессор осуществляет обращение к следующей ячейке расположенной в другом банке памяти). Обычная память с временем доступа 60 нс при чередовании банков памяти обеспечивает время доступа 35 нс.
Shadow RAM - отображаемая (теневая) память, которая содержит скопированные в нее программы (например, BIOS) из ROM (постоянной памяти) для ускорения их выполнения (доступ к ROM осуществляется медленнее, чем к DRAM). Микросхемы ROM отключаются, аShadow RAM объявляется защищенной от записи, и ей присваиваются те же адреса, что и у затененной ROM (для системной BIOS сегмент F000, для BIOS видеосистемы - первые 32 Кбайт сегмента C000). В некоторых компьютерах под затенение выделяют память блоками по 16 Кбайт для заполнения сегментов С000 и D000.
FPM (Fast Page Mode) - режим быстрого страничного обмена (обычная память со временем доступа 60 нс при чтении страницы обеспечивает время доступа 35 нс).FPM-режим обеспечивает аппаратура контроллера DRAM.
EDO (Enhanced Data Out)DRAM - эта память имеет регистр-защелку для выходных данных, в котором по снятию сигнала CAS# фиксируются считанные из элементов памяти данные. Это позволило сократить длительность цикла работы памяти (например, с 70 нс до 60 нс) за счет уменьшения длительности сигнала CAS#. В режиме HPM (Hyper Page Mode) - гиперстраничном режиме обмена (аналог FPM для EDO) - время доступа - до 25 нс.
BEDO (BurstEnhancedDataOut)DRAM - этоEDO-память, оптимизированная под выполнение пакетных (Burst) операций обмена. Микросхемы принимают только начальный адрес пакета данных состоящего из четырех слов, а адреса последующих слов пакета формируются внутренним счетчиком микросхем. BEDO DRAM на тактовой частоте до 66 Мгц обеспечивает пакетный обмен 5-1-1-1. Обозначение пакетного цикла, например, 5-1-1-1 означает, что на чтение первого слова пакета затрачивается пять тактов, а на чтение последующих слов пакета - по одному такту.
SDRAM (Sync Dynamic RAM) - синхронная динамическая память с внутренней организацией чередования банков и перепрограммируемыми параметрами, с набором команд, обеспечивающим:
Статья добавлена: 07.05.2026
Категория: Ремонт ПК
Обозначения объёма дисковой памяти компьютеров (ликбез).
Объем дисковой памяти компьютеров увеличивается быстрыми темпами, и иногда затруднение вызывают такие единицы измерения объема дисковой памяти, как петабайт, экзабайт, зетабайт. Все специалисты в области компьютерной техники уже давно знакомы с такими терминами, как килобайт и мегабайт, терабайт и др., но технологии производства устройств внешней памяти компьютеров постоянно развиваются, объемы накопителей, выпускаемых различными производителями постоянно растут, в связи с этим нужно осваивать новые системы обозначений для объема дисковой памяти. Префиксы, используемые для обозначения объема информации в компьютерной технике по новой системе измерений, принятой еще в 2005 году американским институтом IEEE и Международным комитетом по мерам и весам CIPM приведены в справочных таблицах 1 и 2 (но для префиксов выше exbi пока название не утверждено). ... ...
Статья добавлена: 20.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Предварительная проверка системных плат (начало диагностики до подключения к блоку питания).
О возможном замыкании или наличии повышенной нагрузки в цепи питания для устройств, размещенных на системной плате можно судить, используя информацию, полученную измерением сопротивления нагрузок (в прямом и обратном включении омметра).
Примеры аналогичных измерений трех системных плат приведены в табл.1,2,3. Результаты анализа данных этих таблиц показывают, что явных коротких замыканий по контролируемым точкам электрической схемы у первых двух системных плат не наблюдается (см. табл. 1, 2), а у третьей платы (см. табл. 3) по напряжению 5 вольт замечено слишком малое сопротивление нагрузки 34\32 Ома. Это явно говорит о наличии замыканий в логике схем, но определить место замыкания можно только последовательным отключением устройств от линии питания 5 вольт. Эта работа довольно сложная и кропотливая, поскольку контакты очень мелкие, а темно-фиолетовый лак обычно не дает возможность хорошо просмотреть печатный монтаж. Подключать эту плату к стендовому блоку питания не имеет смысла, так как возможно повреждение самого блока питания. Локализовать неисправное устройство можно, но продолжение диагностики данной схемы требует значительного времени, осторожности и мастерства пайки с использованием соответствующего паяльного оборудования. ... ...
Статья добавлена: 20.04.2026
Категория: Ремонт ПК
RAID-массивы (ликбез).
Для повышения возможностей устройств внешней памяти на жестких дисках, для повышения их надежности и производительности были предложены RAID-массивы. У накопителя на жестких дисках есть пределы его физических возможностей, которых в ряде случаев бывает недостаточно. Но с помощью параллельного использования нескольких дисков — дисковых массивов RAID (Redundat Array of Inexpensive Disks — избыточный массив недорогих дисков) физические возможности и надежность внешней памяти на жестких дисках значительно возросли. Идея заключается в подключении группы обычных (недорогих), как правило, однотипных дисков к RAID-контроллеру — устройству, которое для хост-компьютера этот массив представляет как один диск с улучшенными свойствами. Улучшения касаются значительного повышения надежности и (или) скорости обмена данными. В зависимости от алгоритма представления диска различают следующие типы (уровни) RAID: ... ...
Статья добавлена: 17.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Характеристики интерфейса Thunderbolt (ликбез).
Скоростной интерфейс Thunderbolt дает возможность подключить внешнее устройство к шине PCI-Express или же использовать протокол DisplayPort для передачи видеоданных (рис. 1) и представляет собой двунаправленную универсальную шину с пропускной способностью 10 Гб/c. Приход таких скоростей в область периферии пользователя - это действительно революционный шаг со стороны Apple и Intel. Это вдвое больше, чем у USB 3.0. Thunderbolt не является прямым конкурентом для USB 3.0, но в некоторых случаях их «интересы» все же будут пересекаться. В первую очередь это относится к сегменту высокоскоростных внешних хранилищ. Тем не менее, Intel обещает внедрить поддержку USB 3.0 в следующем поколении своих чипсетов, анонс которых предварительно был запланирован еще на начало 2012г.
Новый скоростной интерфейс Thunderbolt, ранее известный как Light Peak представляет собой двунаправленную универсальную шину с пропускной способностью 10 Гб/c, а также возможностью подключения DisplayPort-устройств. По сути Thunderbolt дает возможность подключить внешнее устройство к шине PCI-Express или же использовать протокол DisplayPort для передачи видеоданных.
Новая технология подключения периферийных устройств Thunderbolt - это, разработанный Apple совместно с Intel (на базе PCI Express и Display Port) скоростной канал для соединения видеоустройств, сетевых интерфейсов и хранилищ данных единым интерфейсом. Технологии Thunderbolt (Light Peak), позволяют проводить высокоскоростной обмен данными между узлами компьютера или между несколькими компьютерами. ... ...
Статья добавлена: 16.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Качественное и своевременное обслуживание компьютера — гарантия его длительной работы (ликбез).
Очень большой процент неисправностей связан с некорректным техническим обслуживанием компьютеров. Если бы обслуживание компьютера выполнялось бы вовремя, аккуратно, с соблюдением всех необходимых мер предосторожности, то многих проблем можно было бы избежать. Кроме того, даже квалифицированный, опытный специалист, небрежно работая над устранением проблем (например, при замене жесткого диска), может стать источником еще больших проблем. Хороший сервисный инженер должен всегда запоминать свои ошибочные действия, стараться «работать над ошибками» и избегать их в дальнейшем.
Для очистки устройств от пыли и загрязнения в процессе эксплуатации, для обеспечении работоспособности компонентов персональных компьютеров и их периферийных устройств, а также при ремонте широко используют самые различные химикаты. Одним из самых современных и удобных методов доставки химического вещества к конкретному месту его "воздействия" в устройстве, является нанесение его путем локального распыления с последующим испарением переносящего химического вещества (или, иначе говоря, использование их в виде аэрозолей).
На российский рынок поставляется обширная гамма химических реагентов, используемых при работе с компонентами электронных схем, персональных компьютеров и их периферийных устройств в виде аэрозолей. Всех их которую можно разделить на несколько групп по их функциональному назначению:
- чистящие средства
- препараты по обработке контактов,
- смазочные и защитные препараты,
- средства для создания токопроводящих и защитных покрытий,
- препараты специального назначения.
Препараты для обработки контактов позволяют решить одну из наиболее болезненных проблем при создании электронных устройств - защиту от коррозии и загрязнения контактов переключателей, разъемов, панелей микросхем, держателей предохранителей и т. д. ... ...
Статья добавлена: 16.04.2026
Категория: Ремонт ПК
UEFI - ПЗУ. МикросхемыSPI_Flash памяти с интерфейсами SPI, Dual-SPI, Quad-SPI, QPI- SPI.
Серии микросхем памяти Winbond W25X и WQ имеют популярный последовательный периферийный интерфейс (SPI), плотности от 512 Кбит до 512 Мбит, небольшие стираемые сектора и самую высокую производительность. Семейство W25X поддерживает Dual-SPI, удваивая стандартные частоты SPI. Семейство W25Q является «надстройкой» семейства 25X с Dual-I/O и Quad-I/O SPI с еще большей производительностью. Тактовые частоты до 104 МГц достигают эквивалента 416 МГц (со скоростью передачи данных 50 Мбайт/с) при использовании Quad-SPI. Это более чем в восемь раз превышает производительность обычной последовательной Flash памяти (50 МГц) и даже превосходит асинхронные параллельные Flash памяти при использовании меньшего количества выводов и меньшего места.
Существенным недостатком использования ПЗУ была и остается их низкая производительность. Ее помогает обойти использование «теневой памяти» (Shadow RAM) в которую для ускорения доступа копируется BIOS (а теперь и UEFI). Почему бы не попытаться выполнить старт персональной платформы, полностью отказавшись от использования оперативной памяти?
Возможности современных реализаций флеш-памяти рассмотрим на примере чипа W25Q64FV, используемого для хранения кода UEFI BIOS. Компания Winbond, разработавшая этот чип, позиционирует его как устройство, способное выполнять программы непосредственно из исходного носителя. Данная технология получила название Execute In Place (XIP) и по идее должна заменить режим Shadow RAM.
Расширения SPI-протокола: Dual-SPI, Quad-SPI, QPI-SPI . ... ...
Статья добавлена: 15.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Страничная организация памяти.
Страничная организация памяти реализуется микропроцессором (Intel) только в защищенном режиме, если в регистре управления CR3 процессора бит 31 имеет значение PG=1. При этом сегмент разбивается на отдельные разделы, число которых может достигать 210=1024. Раздел может содержать до 210=1024 страниц объемом по 4 Кбайт каждая. Границы страниц жестко фиксированы, их начальные адреса имеют значения от 00000000h до FFFFF000h (в шестнадцатеричной системе счисления).
Начальные адреса страниц данного раздела хранятся в соответствующей таблице страниц, содержащейся в памяти. Обращение к этой таблице производится с помощью каталога, в котором содержатся адреса таблиц страниц для всех разделов. Таким образом, страницы, содержащие определенный сегмент программ или данных, могут быть рассеяны по разным частям памяти, а их размещение определяется содержанием каталога разделов и таблиц страниц. При этом границы страниц и сегментов могут не совпадать. Страничная организация обеспечивает более эффективное использование (заполнение) памяти по сравнению с сегментной, однако требует дополнительного времени и специальных аппаратных средств для преобразования адресов. Линейный 32-разрядный адрес при этом является исходной информацией для формирования физического адреса с помощью каталога разделов и таблиц страниц. Формирование физического адреса при страничной организации иллюстрируется рис. 1. Линейный адрес при страничной организации рассматривается как совокупность трех полей (рис. 1). Поле TABLE (разряды А31-22 линейного адреса) указывает относительный адрес таблицы страниц, выбираемой в каталоге раздела. Поле PAGE (разряды А21-12 линейного адреса) задает относительный адрес требуемой страницы раздела. Поле BYTE (разряды A11-0 линейного адреса) содержит относительный адрес выбираемого на странице байта.
Каталог занимает одну страницу памяти, где для каждого из 1024 возможных разделов содержатся 32-разрядные указатели входа в таблицу страниц этого раздела. Каждая из таблиц страниц также занимает одну страницу, где для каждой из 1024 страниц раздела даются 32-разрядные указатели входа в нее. Содержимое регистра управления CR3 задает старшие 20 разрядов адреса (А31-12) ячейки памяти, содержащей указатель входа в таблицу страниц раздела. Разряды А11-А2 адреса этой ячейки составляют относительный адрес, содержащегося в поле TABLE линейного адреса. Выбираемый при этом из каталога указатель имеет следующий формат: ... ...
Статья добавлена: 13.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Технологии поддержки разгона системы и оптимизации ее энергопотребления.
Цифровая система питания DIGI+ - это новый стандарт в управлении питанием ключевых компонентов ПК. Инновационный цифровой модуль VRM в системе питания ASUS DIGI+ представляет собой программируемый микропроцессор, который полностью соответствует требованиям спецификации Intel VRD12 и обеспечивает качество электропитания, недостижимое для аналоговых решений. Цифровая система питания, работающая по схеме 12+2, интеллектуально регулирует уровень ШИМ-сигнала и частоту модуляции, обеспечивая удвоенную точность настройки. В отличие от предыдущих версий спецификаций VRD, Intel VRD12 предусматривает использование цифровых сигналов (SVID) в схеме управления питанием процессора. ASUS DIGI+ работает как цифровой контроллер, обрабатывающий запросы на питание (SVID) от центрального процессора обеспечивая высокое быстродействие схемы управления параметрами питания. За счет отсутствия цифро-аналогового преобразования эта схема работает быстрее, чем предыдущие решения.
Современные материнские платы фирмы ASUS получили в свой арсенал новую современную технологию: DIP - Dual Intelligent Processors, что в буквальном переводе означает «двойные интеллектуальные процессоры». Действительно, DIP состоит из двух компонентов:
- TPU - TurboV Processing Unit - разгонный микропроцессор.
- EPU - Energy Processing Unit - энергосберегающий микропроцессор.
... ... ...
Статья добавлена: 10.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Алгоритмы тестирования памяти (ОЗУ) для гарантированного выявления дефектов (ликбез).
Возможные неполадки памяти могут иметь источники на любом уровне. Весьма уязвимым местом памяти, например, являются контактные соединения модулей и микросхем памяти с печатной платой. Здесь возможны как нарушения контактов (полные, т.е. обрывы, которые выявляются легко и частичные – повышение сопротивления окислившихся контактов, что выявляется с трудом), так и замыкание соседних цепей токопроводящим мусором или погнутым контактом. Каждое включение компьютера, принтера и многих других устройств имеющих ОЗУ начинается с проверки работоспособности этой части устройства.
Существует достаточно большое число алгоритмов для эффективного тестирования памяти, но наиболее часто используются следующие из них:
простое чтение и запись;
тест последовательных чисел;
циклический тест;
галопирующий тест;
двухадресный тест;
тест суммирования;
Каждый пользователь ПК практически каждый день сталкивается с программами тестирования оперативной памяти. Рассмотрим несколько подробнее каждый из этих алгоритмов. ... ...
Статья добавлена: 09.04.2026
Категория: Ремонт ПК
Назначение сигналов в микросхемах DDR SDRAM (ликбез).
1. CLK, CLK# - Clock Input - синхронизация, подается в дифференциальной форме по двум линиям.
2. DQS (UDQS, LDQS) - двунаправленный строб DQS, генерируется источником данных. В операциях чтения строб DQS генерируется микросхемой памяти, при записи - контроллером памяти. При чтении фронты и спады этого сигнала точно центруются в моменты смены данных (приемник должен стробировать данные с небольшой задержкой относительно переключений DQS. При записи фронты и спады центруются точно посередине окна действительности данных и масок DQM. С помощью DLL стробы DQS “привязываются” к CLK.
3. СКЕ - Clock Enable - разрешение синхронизации (высоким уровнем). Низкий уровень переводит микросхему в режим Power Down, Suspend или Sol/Refresh .Микросхемы SDRAM имеют средства энергосбережения, для управления ими используется вход разрешения синхронизации СКЕ.
В режиме авторегенерации (Self Refresh) микросхемы периодически выполняют циклы регенерации по внутреннему таймеру, в этом режиме они не реагируют на внешние сигналы и внешняя синхронизация может быть остановлена. Режимы пониженного потребления (Power Down Mode) устанавливаются при переводе СКЕ в низкий уровень при команде NOP или INHBT. В этих режимах микросхема не воспринимает команд. Если во время выполнения команды чтения или записи установить CKE низким уровнем, то микросхема перейдет в режим Clock Suspend Mode, в котором «замораживается» внутренняя синхронизация и блокируется работа микросхемы.
4. CS# - Chip Select - разрешение декодирования команд (низким уровнем). При высоком уровне новые команды не декодируются, но выполнение начатых продолжается.
5. RAS#, CAS#, WE# (Row Address Strobe, Column Address Strobe, Write Enable) - сигналы, определяющие операцию (код команды). ... ...
Версия сайта для слабовидящих
