Контроллер памяти системной платы MS-7758 поддерживает варианты памяти DDR3 (до 2800 MT/s) с напряжением питания 1.8V, 1.65V, 1.5V и низковольтную DDR3L с напряжением питания 1.35V. Для этого существует система переключения источника питания VCC_DDR на напряжение установленного модуля памяти (1.8V, 1.65V, 1.5V, 1.35V). Переключение осуществляется изменением напряжения (DDR3_FB) на входе FB контроллера источника питания VCC_DDR (см. рис. 1). Напряжение на входе FB (6 конт. U16) устанавливающее VCC_DDR формируется с делителя (R221 и R226), но если это необходимо, то подключением параллельно к R226 резисторов R55, R58 (см. рис.2) можно задать напряжение VCC_DDR равное 1.35V, 1.5V, 1.65V, 1.8V с помощью управляющих сигналов DDR_OV1 и DDR_OV2 (см. табл. 1).
Таблица 1
Рис. 1. Фрагмент схемы источника питания VCC_DDR (U16- контроллер источника питания VCC_DDR).
Рис. 2.
Сигналы DDR_OV1 и DDR_OV2 формирует чип F71868A (рис. 3) c контактов GPIO01 и GPIO2 (см. рис. 3). Например, стандартно DDR_OV1 и DDR_OV2 соответственно равны High и Low, а это обеспечивает параллельное подключение к R226 резистора R55 за счет открытия нижнего ключевого транзистора в чипе Q19 (рис. 2) и задает напряжение VCC_DDR равное 1.5V.
Рис. 3. Фрагмент схемы чипа F71868A.
Версия сайта для слабовидящих