Особенности микросхем iNAND-флэш памяти.
В основе NAND-архитектуры лежит И-НЕ алгоритм (на англ. NAND). Принцип работы аналогичен NOR-типу, и отличается только расположением ячеек и их контактов. Уже нет необходимости подводить контакт к каждой ячейке памяти, так что стоимость и размер NAND-процессора значительно меньше. За счет этой архитектуры, запись и стирание происходят заметно быстрее. Однако эта технология не позволяет обращаться к произвольной области или ячейке, как в NOR. Для достижения максимальной плотности и емкости, флеш-накопитель, изготовленный по технологии NAND, использует элементы с минимальными размерами. Поэтому, в отличие от NOR-накопителя допускается наличие сбойных ячеек (которые блокируются и не должны быть использованы в дальнейшем), что заметно усложняет работу с такой флеш-памятью. Более того, сегменты памяти в NAND снабжаются функцией CRC для проверки их целостности. В настоящее время NOR и NAND-архитектуры существуют параллельно и никак не конкурируют друг с другом, поскольку у них разная область применения. NOR используется для простого хранения данных малого объема, NAND - для хранения данных большого размера (рис. 1).
iNAND флэш (рис. 2, 3) предназначена для использования в мобильных устройствах (низкая потребляемая мощность). iNAND использует интеллектуальные технологии флэш-памяти, передовые технологии кэширования, которые увеличивают быстродействие системы и производительность для более быстрой загрузки приложений, просмотра веб-страниц, и многозадачности. Чипы iNAND выпускаются в очень компактных упаковках.
Рис. 1. Фрагмент принципиальной схемы планшета teXet TM-9740 (iNAND)
Рис. 2
Рис. 3.
Версия сайта для слабовидящих