DDR5 SDRAM - пятое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих вариантов памяти DDR SDRAM. Память DDR5 предоставит меньшее энергопотребление, а также удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с предыдущим поколением (DDR4 SDRAM).
Корпорация Intel ранее предполагала, что JEDEC может выпустить спецификацию DDR5 SDRAM в 2016, с коммерческой доступностью памяти к 2020 году. В марте 2017 JEDEC сообщила о планах выпустить спецификацию DDR5 в 2018 году. На форуме JEDEC Server в 2017 сообщалось о дате предварительного доступа к описанию DDR5 SDRAM с 19 июня 2017 года, а 31 октября начался двухдневный «DDR5 SDRAM Workshop». Компания Rambus анонсировала прототип памяти DDR5 RAM в сентябре 2017 года, с доступностью не ранее 3 квартала 2018 года. Micron изготовила первые прототипы памяти в 2017 году, они были проверены при помощи контроллера Cadence (TSMC, 7 нм).
Многие специалисты ожидали, что линейка памяти DDR завершится на варианте DDR4, но так как за последние годы дизайн компьютеров и серверов не сильно изменился, то производителям ничего не мешает выпустить DDR5 с улучшенными характеристиками.
Оперативная память типа DDR5 будет в два раза быстрее по сравнению с нынешней DDR4, а также она будет значительно энергоэффективнее. Кроме этого, DDR5 имеет вдвое большую плотность, чем DDR4. Таким образом, модули памяти типа DDR5 получат вдвое большую ёмкость по сравнению с нынешними модулями DDR4.
Финальные спецификации стандарта DDR5 были объявлены еще в 2018 году, а вот в компьютерах такая память начала появляться ближе к 2020 году. Первыми новую память получили сервера и игровые ПК, а уже потом она будет массово устанавливаться в ноутбуках, мобильных устройствах и компьютерах. Представители JEDEC также объявили, что они разрабатывают спецификации для новой формы гибридной памяти NVDIMM-P. NVDIMM - это форма постоянной памяти, которая объединяет энергонезависимую флэш-память и энергозависимую оперативную память в слот DIMM. Такой тип памяти предназначен для баз данных, где для обработки и кэширования используется сочетание флэш-памяти и DRAM.
DDR6 SDRAM — это уже шестое поколение оперативной памяти. Samsung готовит оперативную память DDR6-12800. Оперативная память DDR5 только появилась на рынке, а Samsung уже работала над DDR6. Её скорость составит 12800 Мбит/с, как регламентирует стандарт JEDEC (однако это без учёта разгона, а с учётом него модули DDR6 вполне смогут продемонстрировать скорость 17000 Мбит/с). Более того, при регламентированной скорости 6400 Мбит/с и разгоне до 8500 Мбит/с некоторые модули DDR5 в реальности разгоняются до 12000 Мбит/с, так что и для DDR6 вполне может покориться скорость и 20000 Мбит/с.
Появление DDR6 в продаже рекомендовали ждать не раньше 2026 года. DDR6 должна будет иметь четыре канала на модуль (а это вдвое больше, чем DDR5) и больше банков (64 вместо 32; в четыре раза больше, чем в DDR4). Это ещё не все – производительность должна быть вдвое выше, чем у DDR5. Разогнанная память DDR6 должна достичь эффективных тактовых частот до 17000 МГц. Емкость одного кубика в потребительской DDR5 максимальное значение составляет 128 ГБ, а DDR6 предложит 512 ГБ.
Версия сайта для слабовидящих