Алгоритм - Учебный центр

Версия сайта для слабовидящих
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Статьи

Стр. 4 из 194      1<< 1 2 3 4 5 6 7>> 194

Графические ядра GT1/GT2/GT3/GT4/еDRAM.

Статья добавлена: 10.09.2021 Категория: Статьи

Графические ядра GT1/GT2/GT3/GT4/еDRAM. Одним из основных нововведений в микроархитектуре процессоров Haswell было новое графическое ядро c поддержкой DirectX 11.1, OpenCL 1.2 и OpenGL 4.0. Но самое главное, что графическое ядро в микроархитектуре Haswell стало масштабируемым. Появились варианты графического ядра с кодовыми названиями GT3, GT2 и GT1. Ядро GT1 имело минимальную производительность, а GT3 — максимальную. В графическом ядре GT3 появился второй вычислительный блок, за счет чего удвоилось количество блоков растеризации, пиксельных конвейеров, вычислительных ядер и сэмплеров и GT3 вдвое производительнее GT2. Ядро GT3 содержит 40 исполнительных блоков, 160 вычислительных ядер и четыре текстурных блока. Графическое ядро Intel GT3 превосходит своего предшественника (Intel HD Graphics 4000) по уровню производительности. Кроме того, ядро GT3 имеет более высокую производительность благодаря интеграции памяти EDRAM (в ядре GT3e) в упаковку процессора. Ядро GT2 содержит 20 исполнительных блоков, 80 вычислительных ядер и два текстурных модуля, а ядро GT1 — только 10 исполнительных блоков, 40 вычислительных ядер и один текстурный модуль. Сами исполнительные блоки имеют по четыре вычислительных ядра наподобие тех, что используются в архитектуре AMD VLIW4. Еще одно нововведение заключается в том, что при работе с памятью применяется технология Instant Access, которая позволяет вычислительным ядрам процессора и графическому ядру напрямую обращаться к оперативной памяти. В предыдущих версиях графического ядра вычислительные ядра процессора и графическое ядро тоже работали с общей оперативной памятью, но при этом память делилась на две области с динамически изменяемыми размерами. Одна из них отводилась для графического ядра, а другая — для вычислительных ядер процессора. Однако получить одновременный доступ к одному и тому же участку памяти графическое ядро и вычислительные ядра процессора не могли. И в случае, если графическому процессору требовались те же данные, что использовались вычислительным ядром процессора, ему приходилось копировать этот участок памяти. Это приводило к росту задержек, а кроме того, возникала проблема отслеживания когерентности данных. Технология InstantAccess позволяет драйверу графического ядра ставить указатель на положение определенного участка в области памяти графического ядра, к которой вычислительному ядру процессора необходимо напрямую получить доступ. При этом вычислительное ядро процессора будет работать с этой областью памяти напрямую, без создания копии, а после выполнения необходимых действий область памяти будет возвращена в распоряжение графического ядра. Семейство новых графических ядер GT1, GT2 и GT3 обладает улучшенными возможностями и по кодированию-декодированию видеоданных. Поддерживается аппаратное декодирование форматов H.264/MPEG-4 AVC, VC-1, MPEG-2, MPEG-2 HD, Motion JPEG, DivX с разрешением вплоть до 4096х2304 пикселов. Графическое ядро способно одновременно декодировать несколько видеопотоков 1080p и воспроизводить видео 2160p без подтормаживания и пропуска кадров. Появился и специальный блок улучшения качества видео, который называется Video Quality Engine и отвечает за шумоподавление, цветокоррекцию, деинтерлейсинг, адаптивное изменение контраста и т.д. Также новые графические ядра поддерживают функции стабилизации изображения, преобразования частоты кадров и расширенной гаммы. В процессорах Broadwell и Skylake появилось графическоеядро Iris Pro Graphics 580 (GT4e). Графическое ядро GT4e содержит: 72 исполнительных устройства, 128 (256) Мбайт eDRAM, производительность до 1152 ГФлопс на частоте 1 ГГц (a ядро GT3 содержит 40 исполнительных блоков). Новое графическое ядро GT4e, которое имеет 72 потоковых процессора, обеспечивает вычислительную производительность более 1,1 Тфлопс (триллиона операций с плавающей точкой в секунду) в зависимости от тактовой частоты. Графический процессор Iris Pro Graphics 580 имеет обновлённый мультимедийный движок, который поддерживает аппаратное декодирование и кодирование Ultra HD-видео с использованием кодеков HEVC и VP9.

Общие методы ремонта блоков питания принтеров.

Статья добавлена: 10.09.2021 Категория: Статьи

Общие методы ремонта блоков питания принтеров. Полноценный и качественный ремонт импульсных блоков питания будет выполнен только в том случае если мастер четко владеет знаниями работы блока питания, его схемой, и владеет практическими приемами нахождения и устранения дефектов. Ремонт будет производиться с меньшими затратами времени и с использованием минимального, действительно необходимого количества радиодеталей лишь в том случае, если мастер в полной мере владеет основными методами ремонта электронной аппаратуры. К ним относятся следующие методы:

Поддержка карт памяти в планшетах.

Статья добавлена: 13.07.2021 Категория: Статьи

Поддержка карт памяти в планшетах. Возможно расширение встроенной памяти планшета с помощью карт памяти. В современных планшетах используются карты памяти следующих форматов: SD, SDHC, SDXC, microSD, microSDHC. Существуют четыре поколения карт памяти данного формата, различающиеся возможным объёмом данных (совместимы сверху вниз): SD 1.0 — от 8 МБ до 2 ГБ; SD 1.1 — до 4 ГБ; SDHC — до 32 ГБ; SDXC — до 2 ТБ. MicroSD съемные карты (миниатюрные Secure Digital флэш - память) первоначально были названы T-Flash или TF, аббревиатуры TransFlash. TransFlash и MicroSD карты функционально идентичны. SD – единственный тип карт памяти, в котором все данные шифруются. SD(Secure Digital) — один из самых распространенных форматов хранения данных. SD-карты отличаются компактными размерами (32х24х2мм - рис.1) и возможностью защиты хранящейся на них информации от копирования. К достоинствам флэш-карт данного типа также можно отнести высокую скорость записи/чтения, повышенную защиту информации от случайного стирания или разрушения, механическую прочность и низкое энергопотребление. SDHC(Secure Digital High Capacity) является расширением формата Secure Digital и позволяет выпускать карты памяти емкостью более 4 Гб, в то время как объем карт стандарта SD ограничен 4 Гб. Карты памяти SDHC внешне очень похожи на SD, однако могут использоваться только с SDHC-совместимыми устройствами. SDXC(Secure Digital eXtended Capacity) – дальнейшее развитие формата Secure Digital. Карты SDXC обеспечивают более высокие объем памяти (до 2 Тб) и скорость обмена данными (до 300 Мб/с). Для сравнения, карты формата SDHC, отформатированные в FAT32 имеют ограничение в 32 Гб. microSD(Micro Secure Digital Card) — формат, позволяющий выпускать суперкомпактные съемные устройства флэш-памяти. Их размеры составляют 11х15х1 мм. Карты данного формата используются в первую очередь в мобильных устройствах, так как благодаря своей компактности позволяют существенно расширить память без увеличения размеров. Для обеспечения совместимости microSD с устройствами, поддерживающими стандарт SD, выпускаются специальные SD-адаптеры. miсroSDHC(Micro Secure Digital High Capacity) является расширением формата microSD и позволяет выпускать карты памяти емкостью более 4 Гб. Карты памяти microSDHC внешне очень похожи на microSD, однако могут использоваться только с miсroSDHC-совместимыми устройствами. В некоторых планшетах нет возможности работать с картами памяти, но можно приобрести опциональный кардридер за отдельную плату Карты SDHC не совместимы с устройствами, изначально рассчитанными только на SD-карты. Ключевым нововведением для SDHC-карт, позволившим им превзойти объём в 4 ГБ, стало введение посекторной адресации (аналогично жёстким дискам), в то время как обычные SD-карты имеют побайтную адресацию (как оперативная память) и, соответственно, при 32-разрядном адресе могут иметь объём не более 4 ГБ. Некоторые устройства (кардридеры, коммуникаторы и др.), рассчитанные на работу только с картами SD, после смены программного обеспечения могут «научиться» работать с SDHC, если аппаратная поддержка данных карт была предусмотрена производителем. Также следует обращать внимание на версию реализации карты SD(SD 1.0 или SD 1.1). Если её планируется использовать в старом устройстве, поддерживающем карты памяти объёмом до 2 ГБ, убедитесь, что она выполнена в версии 1.0, а не 1.1, иначе будут возникать сбои при форматировании и при заполнении карты памяти информацией. Cтандарт SDXC(Secure Digital eXtended Capacity), поддерживающий карты объёмом до 2 TБ. Карты памяти SDXC UHS-I (версия 3.01) совместимы с SDHC-устройствами. Устройства с поддержкой SDXC обеспечивают поддержку карт предшествующих стандартов SD и SDHC. Карты SDXC UHS-II (версия 4.0) с SDHC-устройствами не совместимы.

Логические элементы компьютерной техники (ликбез).

Статья добавлена: 13.07.2021 Категория: Статьи

Логические элементы компьютерной техники (ликбез). Джордж Буль более 200 лет назад разработал логическую систему, названную булевой алгеброй, на основе которой построена вся современная компьютерная техника. В основе логики лежит понятие «булева примитива». Булева алгебра и ее система булевых примитивов может быть реализована на электронных схемах, которые и реализуют булевы выражения. Такие схемы называются логическими элементами, и всего их восемь (а базовых их всего три: логический элемент «И», «ИЛИ», «НЕ»). Элемент воспринимает один или несколько входных битов, обрабатывает их определенным образом и формирует выходной бит. Выходной бит элемента предсказуем, потому, что элемент действует в соответствии с конкретным логическим выражением. Восемь элементов называются: буфер, инвертор, элемент И (AND), элемент ИЛИ (OR), элемент исключающее ИЛИ (XOR), элемент НЕ-И (NAND), элемент НЕ-ИЛИ (NOR) и элемент исключающее НЕ-ИЛИ (ENOR). Их входы и выходы обычно выведены на контакты реальных микросхем. Из этих элементов специалисты-системотехники строят микросхемы состоящие из миллионов и миллиардов таких элементов. Такие микросхемы могут быть созданы для реализации системной платы компьютера, видеоакселератора, звуковой карты, электроники жесткого диска и т. д., но на различных платах, как правило, всегда присутствует небольшое количество микросхем малой и средней степени интеграции элементов. Материал данной статьи необходим для оценки работоспособности микросхем малой и средней степени интеграции элементов при поиске неисправности в электронных схемах принтеров, копировальных аппаратов, компьютеров, и для понимания работы цифровых схем. Проверяя входы и выходы такой микросхемы, состоящей из логических элементов, всегда можно убедиться в ее работоспособности.

Intel Iris Pro Graphics 580.

Статья добавлена: 08.07.2021 Категория: Статьи

Intel Iris Pro Graphics 580. Наращивая мощность графического ядра, Intel проявила большую заботу и о том, чтобы для его нужд хватало пропускной способности памяти. Начиная с процессоров Skylake обновился контроллер памяти, и теперь он способен работать с DDR4 SDRAM, частота и пропускная способность которой заметно выше, чем у DDR3 SDRAM. А в GPU появилась новая технология Lossless Render Target Compression (направленное на рендеринг сжатие без потерь). Её суть заключается в том, что все данные, пересылаемые между GPU и системной памятью, которая одновременно является и видеопамятью, предварительно сжимаются, разгружая таким образом полосу пропускания. Применённый алгоритм использует компрессию без потерь, при этом степень сжатия данных может достигать двукратного размера. Всякая компрессия требует задействования дополнительных вычислительных ресурсов, но внедрение технологии Lossless Render Target Compression увеличивает быстродействие интегрированного GPU в реальных играх на величину от 3 до 11 процентов. В графике процессоров Skylake были сделаны существенные изменения в части поддерживаемых графических API. На данный момент в GPU новых процессоров есть совместимость с DirectX 12, OpenGL 4.4 и OpenCL 2.0, а позднее, по мере совершенствования графического драйвера, к этому списку добавятся и будущие версии OpenCL 2.x и OpenGL 5.x, а также поддержка низкоуровневого фреймворка Vulkan. Здесь уместно упомянуть и о том, что в новом GPU реализована полноценная когерентность памяти с процессором, что делает Skylake самым настоящим APU – его графическое и вычислительные ядра могут одновременно работать над одной и той же задачей, используя общие данные. Основные характеристики Intel Iris Pro Graphics 580:

Фотодатчики.

Статья добавлена: 05.07.2021 Категория: Статьи

Фотодатчики. 1. Бесконтактный оптический датчик использующий пропадание луча. Фотодиод является потенциально широкополосным приемником. Этим обуславливается его повсеместное применение и популярность. Принцип работы фотодатчиков в принтерах и копировальных аппаратах такой же, как у фотореле. Оптический излучатель создает луч, на расстоянии от него фотоприемник принимает луч. Как только луч пропадает - кто-то пересекает барьер, например «флажок», поднятый движущимся листом бумаги - срабатывает схема автоматики (рис.1). На этой основе создаются датчики для различных расстояний. Существуют датчики, улавливающие ИК излучение или обычный дневной свет. Принцип работы у них один и тот же.

NVDIMM и SSD-диски.

Статья добавлена: 01.07.2021 Категория: Статьи

NVDIMM и SSD-диски. Модули памяти NVDIMM (Intel) на базе энергонезависимой памяти 3D XPoint (Optane DC Persistent Memory) предназначены для установки в слоты для оперативной памяти и используют протокол работы памяти DDR4 с целью максимизировать производительность находящегося в непосредственной близости от микропроцессора накопителя данных. Клиенты, получившие эти модули, уже оценили их рекордную производительность. Microsoft тоже уже сообщила о рекордной производительности (сервера на базе Xeon Scalable и Optane DC Persistent Memory) в 13,7 млн. IOPS, уровень, которого они никогда не достигали ни на какой другой платформе». Семейство модулей Optane DC Persistent Memory включает в себя накопители ёмкостью 128, 256 и 512 Гбайт. Модуль Optane DC Persistent Memory 512 Гбайт несёт на борту 10 многослойных микросхем памяти 3D XPoint, таким образом используя 640 Гбайт памяти и имея вдвое больше «избыточной» памяти, чем модули DDR4 SDRAM с ECC коррекцией ошибок. Уровень производительности сервера с несколькими накопителями Optane DC Persistent Memory (в том, что касается случайных операций чтения и записи), впечатляет. Для сравнения, типичный серверный SSD с шиной PCI Express имеет производительность в 550–750 тысяч IOPS. Несколько накопителей Optane DC Persistent Memory могут предложить не меньшую скорость, чем несколько серверных SSD, при этом предлагая куда более высокую надежность.

Дополнительные функции BIOS (BIOS Extensions)

Статья добавлена: 29.06.2021 Категория: Статьи

Дополнительные функции BIOS (BIOS Extensions). Для работы с HDD-дисками большого объема возможности адресации CHS стали «тормозом» и не позволяли работать с полным объемом дисков. Поэтому для обеспечения поддержки новых возможностей HDD в набор функций Int 13h фирмой Phoenix Technologies были введены дополнительные функции (BIOS Extensions). Дополнительные функции имеют номера 41h - 49h и 4Eh. Порядок работы с этими функциями отличается от принятого для стандартных функций прерывания Int 13h: - вся адресная информация передается через буфер в оперативной памяти, а не через регистры; - соглашения об использовании регистров изменены (для обеспечения передачи новых структур данных); - для определения дополнительных возможностей аппаратуры (параметров) используются флаги. Основной структурой данных для дополнительных функций прерывания Int I3h является «Пакет дискового адреса» (Disk Address Packet). Получив пакет дискового адреса, программа BIOS, (например, Int 13h, функция 42h: расширенное чтение), запущенная через прерывание Int 13h преобразует содержащиеся в нем данные в физические параметры, соответствующие используемому носителю информации (рис. 1). Формат пакета дискового адреса описан в табл. 1.

Модули памяти. Контроль четности. Коды коррекции ошибок.

Статья добавлена: 28.06.2021 Категория: Статьи

Модули памяти. Контроль четности. Коды коррекции ошибок. Для повышения отказоустойчивости систем необходимы механизмы определения и, возможно, исправления ошибок в памяти ПК. В основном для повышения отказоустойчивости в современных компьютерах применяются следующие методы: - контроль четности; - коды коррекции ошибок (ECC). Системы без контроля четности вообще не обеспечивают отказоустойчивости данных. Единственная причина, по которой они используются, - их минимальная базовая стоимость. При этом, в отличие от других технологий (ECC и контроль четности), не требуется дополнительная оперативная память. Байт данных с контролем четности включает в себя 9, а не 8 бит, поэтому стоимость памяти с контролем четности выше примерно на 12%. Кроме того, контроллеры памяти, не требующие логических мостов для подсчета данных четности или ECC, обладают упрощенной внутренней архитектурой. Портативные системы, для которых вопрос минимального энергопотребления особенно важен, выигрывают от уменьшенного энергопотребления памяти благодаря использованию меньшего количества микросхем DRAM. И наконец, шина данных памяти без контроля четности имеет меньшую разрядность, что выражается в сокращении количества буферов данных. Статистическая вероятность возникновения ошибок памяти в современных настольных компьютерах составляет примерно одну ошибку в несколько месяцев. При этом количество ошибок зависит от объема и типа используемой памяти. Подобный уровень ошибок может быть приемлемым для обычных компьютеров, не используемых для работы с важными приложениями.

Расходные материалы для профилактического обслуживания ПК.

Статья добавлена: 24.06.2021 Категория: Статьи

Расходные материалы для профилактического обслуживания ПК. Тщательная регулярная чистка – это одна из самых важных операций профилактического обслуживания. Причиной многих неприятностей является пыль, которая оседает внутри компьютера. Пыль является теплоизолятором, который ухудшает охлаждение системы, в результате этого сокращается срок службы компонентов и увеличивается перепад температур при прогреве компьютера В пыли обязательно содержатся токопроводящие частицы, что может привести к возникновению утечек и даже коротких замыканий между электрическими цепями (недаром в аппаратуре военного назначения для защиты схем от влияния пыли, влаги и т.п. платы с электронными компонентами обычно покрывают специальным лаком). Некоторые вещества, содержащиеся в пыли, могут ускорить процесс окисления контактов, что приведет в конечном счете к нарушениям электрических соединений. В любом случае аккуратно и квалифицированно проведенная чистка компьютера пойдет ему только на пользу. Для того чтобы качественно и профессионально почистить компьютер и все его компоненты, необходимо использовать специальные инструменты и соответствующие по качеству расходные материалы. Прежде всего необходим специальный раствор для чистки контактов, баллончик со сжатым воздухом, маленькая щетка, поролоновые чистящие тампоны и заземленный наручный браслет для снятия статических зарядов электричества. Кроме того, часто могут потребоваться клейкая лента, химически инертный герметик, силиконовая смазка и специализированный малогабаритный пылесос. Обычно этого перечня инструментов и химикатов достаточно для выполнения большинства активных профилактических операций. Большинство использовавшихся ранее реактивов были признаны опасными для окружающей среды, поэтому химические составы многих чистящих растворов, используемых в электронике, за последнее время сильно изменились. Атомы хлора, входящие в состав молекул хлорсодержащих органических растворителей, вступают в реакцию с молекулами озона и разрушают их, поэтому использование таких веществ сейчас строго контролируется международными организациями. Большинству компаний, производящих химические реактивы для чистки и профилактического обслуживания компьютеров, приходится подыскивать заменители, безопасные для окружающей среды, но весьма существенным недостатком этих заменителей является дороговизна и низкая неэффективность. В операциях чистки часто используются универсальные очистители. Для приготовления этих чистящих растворов используются разнообразные реактивы, но лишь пять из них находятся под особым контролем.

Контакты на модулях памяти (золото или олово).

Статья добавлена: 24.06.2021 Категория: Статьи

Контакты на модулях памяти (золото или олово). Контакты на модулях памяти компьютеров могут быть позолоченными или же покрытыми оловом. Для получения наиболее стабильной системы следует устанавливать модули памяти с позолоченными контактами в разъемы с позолоченными контактами, а модули памяти с оловянными контактами — в разъемы с оловянными контактами. Многие просто не понимают, насколько важны характеристики электрических контактов модулей памяти, установленных в компьютерной системе. Обычно пользователи считают, что в любой ситуации предпочтительнее позолоченные контакты, однако на самом деле это не так. Если установить модули памяти с позолоченными контактами в разъемы с оловянными контактами или наоборот, то через некоторое время могут появиться дефекты в работе памяти. Ошибки возникают приблизительно через 6–12 месяцев после установки. С подобными проблемами в работе компьютерных систем, обслуживающий персонал уже не раз сталкивался. Например, фирма обновила свой парк компьютеров, а через год в работе памяти всех новых компьютеров начали появляться ошибки. Проблема была связан с несоответствием металла, используемого в покрытии контактов модулей памяти и разъемов системной платы (модули памяти были с позолоченными контактами, а разъемы - с оловянными). Вследствие взаимодействия золотых контактов с контактами из другого металла возникает так называемая фреттинг коррозия. При фреттинг коррозии оксид олова проникает в более твердую поверхность золота, что приводит к повышению сопротивления. Это всегда происходит при контакте золота и олова, независимо от того, какова толщина золотого покрытия. В результате фреттинг коррозии через определенное время (это зависит еще и от окружающей среды) сопротивление в точке контакта увеличивается, что влечет за собой ошибки в работе памяти. Олово очень быстро окисляется. Однако при этом контакт между двумя оловянными по верхностями легко устанавливается при нажиме, поскольку оксиды на мягкой поверхности олова деформируются и “осыпаются”, тем самым обеспечивая контакт. А все модули памяти устанавливаются в разъем с нажимом, благодаря чему и обеспечивается хороший контакт. Но если в контакт вступают олово и золото, то, поскольку золото является твердым металлом, при нажиме оксид не разрушается, а повышение сопротивления приводит к сбоям в работе памяти. Совместно использовать позолоченные и оловянные контакты крайне нежелательно. Разумеется, наилучший вариант - установка модулей с позолоченными контактами в разъемы с такими же контактами.

Отрицательное воздействие внешней среды. Пример поиска неисправности в системной плате ПК.

Статья добавлена: 18.06.2021 Категория: Статьи

Отрицательное воздействие внешней среды. Пример поиска неисправности в системной плате ПК. Общеизвестен факт, что отрицательное воздействие внешней среды и использование дешевых компонентов при пайке, непосредственно сказывается на показателях надежности печатных узлов и сборок выполненных по современным технологиям. Персональный компьютер, стоящий на обслуживании у грамотного специалиста-мастера, практически никогда не выходит из строя. Мастер знает, как обращаться с сложной компьютерной техникой, и не допускает ситуаций, в которых могут появиться дефекты, но на практике часто возникают ситуации нарушающие нормальное функционирование техники по причинам, которых трудно избежать и при грамотной эксплуатации. Например, современные технологии изготовления печатных плат и безсвинцовые технологии пайки не только экологичны и эффективны, но они (в определенных условиях) порождают ряд явлений, приводящих к отказам электронных схем. Микроскопические проростки металла из мест пайки на печатной плате («усы» олова) — часто являются одной из причиной возникновения отказов современных электронных схем из-за замыканий между контактами и проводниками. Представленная на ремонт системная плата, по словам ее хозяина, «нестабильно работает c модулями памяти», но все съемные ее компоненты исправны (это было установлено их установкой на точно такой же материнской плате в системном блоке). Были проведены измерения и было обнаружено, что напряжение питания памяти чуть ниже нормы (1.35В вместо 1.5В). Данные наших замеров говорили об отсутствии повышенной нагрузки на источник напряжения питания памяти. Обычно модули оперативной памяти питаются током, имеющим определенное стандартное напряжение, величина которого зависит от типа и технологии изготовления модулей. Например, модули SDRAM в обычных условиях должны питаться током в 3,3В, модули DDR – 2,5В, модули DDR2 – 1,8В, а модули DDR3 – 1,5В. В последние годы были разработаны стандарты с еще более низким напряжением – DDR3L и DDR3U. Для модулей памяти, соответствующих первой спецификации, данная величина составляет 1,35В, а для соответствующих второй – 1,25В. После анализа этой ситуации решили проверить работоспособность компонентов всей цепочки по которой формируется напряжение питания памяти (VCC_DDR). Исследование решили начать, естественно с источника напряжения питания памяти VCC_DDR.

Стр. 4 из 194      1<< 1 2 3 4 5 6 7>> 194

Лицензия